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前天,日本东芝公司发布了一款新型的NAND闪存芯片。因为该产品采用了一种新型技术设计,其单体容量有希望扩大10倍之多。
据悉,该产品实际上使用了一种名为三维存储单元阵列制造技术!实际上就是在闪存芯片垂直表面进行打孔,并且贯穿整个芯片。然后加入硅电极放入其中,通过硅电极周围产生的氮化硅膜进行数据存储。相对于目前正在被广泛使用的普通的NAND闪存,使用这种技术制造出来的新型芯片的容量将会增加很多,它的容量很有可能达到比目前还高10倍的水平。也许,我们很快就会用上容量达到320GB的闪存卡了!
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