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近日，韩国三星公司发布消息，针对旗下闪存卡产品开发成功了工艺为20纳米工艺制造的闪存颗粒，并且已经向其他厂商开始供货。
三星20纳米闪存颗粒
据悉，三星方面表示，这种采用20纳米工艺生产的MLC NAND芯片在产量上将比过去的30纳米产品提高50%，且运算速度也能提升30%左右。能够满足Class 10速度标准存储卡的需求（读取20MB/秒，写入速度可达10MB/秒）。
另外，三星开发的这种20纳米工艺制造的MLC NAND芯片将会在未来的日子更广泛地在其他领域的产品上应用起来，让我们继续关注吧。
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